Сателитска платформа са МОЦВД графитом обложена СиЦ

Семицорек је реномирани добављач и произвођач сателитске платформе МОЦВД Грапхите Цоатед СиЦ. Наш производ је специјално дизајниран да задовољи потребе индустрије полупроводника у расту епитаксијалног слоја на чипу плочице. Производ се користи као средишња плоча у МОЦВД, са зупчаником или прстенастим дизајном. Има високу отпорност на топлоту и корозију, што га чини идеалним за употребу у екстремним окружењима.

Пошаљи упит

Опис производа

Једна од најзначајнијих карактеристика наше МОЦВД графитне сателитске платформе са премазом СиЦ је њена способност да обезбеди премаз на целој површини, избегавајући љуштење. Има отпорност на оксидацију при високим температурама, осигуравајући стабилност чак и на високим температурама до 1600°Ц. Производ је направљен са високом чистоћом кроз ЦВД хемијско таложење паре у условима хлорисања на високим температурама. Има густу површину са финим честицама, што га чини веома отпорним на корозију од киселина, алкалија, соли и органских реагенса.
Наша МОЦВД графитна сателитска платформа обложена СиЦ је дизајнирана да гарантује најбољи ламинарни образац протока гаса, обезбеђујући равномерност термичког профила. Спречава било какву контаминацију или дифузију нечистоћа, обезбеђујући висококвалитетан епитаксијални раст на чипу плочице. Нудимо конкурентне цене за наш производ, чинећи га доступним многим купцима. Наш тим је посвећен пружању одличне корисничке услуге и подршке. Покривамо многа европска и америчка тржишта, и настојимо да постанемо ваш дугорочни партнер у обезбеђивању висококвалитетне и поуздане МОЦВД графитне сателитске платформе са премазом СиЦ. Контактирајте нас данас да бисте сазнали више о нашем производу.

Параметри сателитске МОЦВД графитне платформе обложене СиЦ

Главне спецификације ЦВД-СИЦ премаза
СиЦ-ЦВД својства
Кристална структура	ФЦЦ И² фаза
Густина	г/цм ³	3.21
Тврдоћа	Викерсова тврдоћа	2500
Величине зрна	И¼м	2~10
Хемијска чистоћа	%	99.99995
Топлотни капацитет	Ј·кг-1 ·К-1	640
Температура сублимације	℃	2700
Фелекурал Стренгтх	МПа (РТ 4 тачке)	415
Иоунг'с Модулус	Гпа (4пт савијање, 1300а)	430
Термичка експанзија (Ц.Т.Е)	10-6К-1	4.5
Топлотна проводљивост	(В/мК)	300

Карактеристике СиЦ Цоатед МОЦВД Грапхите Сателлите Платформ

- Избегавајте љуштење и обезбедите премаз на целој површини
Отпорност на оксидацију на високим температурама: стабилан на високим температурама до 1600°Ц
Висока чистоћа: направљено ЦВД хемијским таложењем паре под условима хлорисања на високој температури.
Отпорност на корозију: висока тврдоћа, густа површина и фине честице.
Отпорност на корозију: киселине, алкалије, соли и органски реагенси.
- Постигните најбољи ламинарни образац струјања гаса
- Гарантује равномерност термичког профила
- Спречите било какву контаминацију или дифузију нечистоћа