Индуктивно спрегнута плазма (ИЦП)

Семицорек-ов сусцептор обложен силицијум карбидом за индуктивно спрегнуту плазму (ИЦП) је дизајниран посебно за процесе руковања плочицама на високим температурама као што су епитаксија и МОЦВД. Са стабилном отпорношћу на оксидацију при високим температурама до 1600°Ц, наши носачи обезбеђују равномерне термичке профиле, ламинарне обрасце протока гаса и спречавају контаминацију или дифузију нечистоћа.

Пошаљи упит

Опис производа

Потребан вам је носач плочице који може да издржи високотемпературна и оштра хемијска окружења? Не тражите даље од Семицорек-овог пријемника обложеног силицијум карбидом за индуктивно спрегнуту плазму (ИЦП). Наши носачи имају фини СиЦ кристални премаз који пружа врхунску отпорност на топлоту, уједначену термичку униформност и издржљиву хемијску отпорност.
Контактирајте нас данас да бисте сазнали више о нашем СиЦ сусцептору за индуктивно спрегнуту плазму (ИЦП).

Parameters of susceptor for Inductively-Coupled Plasma (ICP)

Главне спецификације ЦВД-СИЦ премаза
СиЦ-ЦВД особине
Цристал Струцтуре	ФЦЦ β фаза
Густина	г/цм ³	3.21
Тврдоћа	Викерсова тврдоћа	2500
Величина зрна	μм	2~10
Хемијска чистоћа	%	99.99995
Хеат Цапацити	Ј кг-1 К-1	640
Сублиматион Температуре	℃	2700
Фелекурал Стренгтх	МПа (РТ 4 тачке)	415
Јангов модул	Гпа (4пт савијање, 1300℃)	430
Термичка експанзија (Ц.Т.Е)	10-6К-1	4.5
Топлотна проводљивост	(В/мК)	300