СиЦ Цоатед ИЦП Етцхинг Царриер

Семицорек СиЦ Цоатед ИЦП Етцхинг Царриер конструисан посебно за опрему за епитаксију са високом отпорношћу на топлоту и корозију у Кини. Наши производи имају добру предност у цени и покривају многа европска и америчка тржишта. Радујемо се што ћемо постати ваш дугорочни партнер у Кини.

Пошаљи упит

Опис производа

Носачи плочица који се користе у фазама таложења танког филма као што су епитаксија или МОЦВД, или обрада плочица као што је јеткање морају издржати високе температуре и грубо хемијско чишћење. Семицорек испоручује ИЦП носач за јеткање са СиЦ обложеном високом чистоћом пружа супериорну отпорност на топлоту, чак и термичку униформност за конзистентну дебљину и отпорност епи слоја, као и трајну хемијску отпорност. Фини СиЦ кристални премаз обезбеђује чисту, глатку површину, критичну за руковање, јер нетакнуте плочице долазе у контакт са суцептором на многим тачкама по целој површини.

Наш СиЦ Цоатед ИЦП Етцхинг Царриер је дизајниран да постигне најбољи ламинарни образац протока гаса, обезбеђујући равномерност термичког профила. Ово помаже у спречавању било какве контаминације или дифузије нечистоћа, обезбеђујући висококвалитетан епитаксијални раст на чипу плочице.

Контактирајте нас данас да бисте сазнали више о нашем СиЦ Цоатед ИЦП Етцхинг Царриер.

Параметри носача за ИЦП јеткање обложеног СиЦ

Главне спецификације ЦВД-СИЦ премаза
СиЦ-ЦВД особине
Цристал Струцтуре	ФЦЦ β фаза
Густина	г/цм ³	3.21
Тврдоћа	Викерсова тврдоћа	2500
Величина зрна	μм	2~10
Хемијска чистоћа	%	99.99995
Хеат Цапацити	Ј кг-1 К-1	640
Сублиматион Температуре	℃	2700
Фелекурал Стренгтх	МПа (РТ 4 тачке)	415
Јангов модул	Гпа (4пт савијање, 1300℃)	430
Термичка експанзија (Ц.Т.Е)	10-6К-1	4.5
Топлотна проводљивост	(В/мК)	300