СиЦ плоча за ИЦП процес јеткања

Семицорек-ова СиЦ плоча за ИЦП процес јеткања је савршено решење за захтеве високе температуре и тешке хемијске обраде у таложењу танког филма и руковању плочицама. Наш производ се може похвалити врхунском отпорношћу на топлоту и равномерном топлотном униформношћу, обезбеђујући конзистентну дебљину и отпорност епи слоја. Са чистом и глатком површином, наш кристални премаз високе чистоће СиЦ обезбеђује оптимално руковање нетакнутим плочицама.

Пошаљи упит

Опис производа

Остварите најквалитетније процесе епитаксије и МОЦВД помоћу Семицорек-ове СиЦ плоче за ИЦП процес јеткања. Наш производ је дизајниран посебно за ове процесе, нудећи врхунску отпорност на топлоту и корозију. Наш фини СиЦ кристални премаз обезбеђује чисту и глатку површину, омогућавајући оптимално руковање плочицама.

Наша СиЦ плоча за ИЦП процес јеткања је дизајнирана да постигне најбољи ламинарни образац протока гаса, обезбеђујући равномерност термичког профила. Ово помаже у спречавању било какве контаминације или дифузије нечистоћа, обезбеђујући висококвалитетан епитаксијални раст на чипу плочице.

Контактирајте нас данас да бисте сазнали више о нашој СиЦ плочи за ИЦП процес гравирања.

Параметри СиЦ плоче за ИЦП процес јеткања

Главне спецификације ЦВД-СИЦ премаза
СиЦ-ЦВД својства
Кристална структура	ФЦЦ И² фаза
Густина	г/цм ³	3.21
Тврдоћа	Викерсова тврдоћа	2500
Величине зрна	И¼м	2~10
Хемијска чистоћа	%	99.99995
Топлотни капацитет	Ј·кг-1 ·К-1	640
Температура сублимације	℃	2700
Фелекурал Стренгтх	МПа (РТ 4 тачке)	415
Иоунг'с Модулус	Гпа (4пт савијање, 1300а)	430
Термичка експанзија (Ц.Т.Е)	10-6К-1	4.5
Топлотна проводљивост	(В/мК)	300