ИЦП Пласма Етцхинг Траи

Семицорек-ов ИЦП Пласма Етцхинг Траи је пројектован посебно за процесе руковања плочицама на високим температурама као што су епитаксија и МОЦВД. Са стабилном отпорношћу на оксидацију при високим температурама до 1600°Ц, наши носачи обезбеђују равномерне термичке профиле, ламинарне обрасце протока гаса и спречавају контаминацију или дифузију нечистоћа.

Пошаљи упит

Опис производа

Наша ИЦП ладица за плазма јеткање је пресвучена силицијум карбидом помоћу ЦВД методе, што је идеално решење за процесе руковања плочицама који захтевају високотемпературно и оштро хемијско чишћење. Семицорек-ови носачи имају фини СиЦ кристални премаз који обезбеђује равномерне термичке профиле, ламинарне обрасце протока гаса и спречава контаминацију или дифузију нечистоћа.
У Семицорек-у се фокусирамо на пружање висококвалитетних, исплативих производа нашим купцима. Наша ИЦП ладица за плазма гравирање има предност у цени и извози се на многа европска и америчка тржишта. Циљ нам је да будемо ваш дугорочни партнер, испоручујући производе доследног квалитета и изузетну услугу за кориснике.
Контактирајте нас данас да сазнате више о нашој ИЦП Пласма Етцхинг Траи.

Параметри ИЦП Пласма Етцхинг Траи

Главне спецификације ЦВД-СИЦ премаза
СиЦ-ЦВД особине
Цристал Струцтуре	ФЦЦ β фаза
Густина	г/цм ³	3.21
Тврдоћа	Викерсова тврдоћа	2500
Величина зрна	μм	2~10
Хемијска чистоћа	%	99.99995
Топлотни капацитет	Ј кг-1 К-1	640
Сублиматион Температуре	℃	2700
Фелекурал Стренгтх	МПа (РТ 4 тачке)	415
Јангов модул	Гпа (4пт савијање, 1300℃)	430
Термичка експанзија (Ц.Т.Е)	10-6К-1	4.5
Топлотна проводљивост	(В/мК)	300