ИЦП Пласма Етцхинг Траи

Семицорек-ов ИЦП Пласма Етцхинг Траи је конструисан посебно за процесе руковања плочицама на високим температурама као што су епитаксија и МОЦВД. Са стабилном отпорношћу на оксидацију при високим температурама до 1600°Ц, наши носачи обезбеђују равномерне термичке профиле, ламинарне обрасце протока гаса и спречавају контаминацију или дифузију нечистоћа.

Пошаљи упит

Опис производа

Наша ИЦП ладица за јеткање плазмом је пресвучена силицијум-карбидом помоћу ЦВД методе, што је идеално решење за процесе руковања плочицама који захтевају високотемпературно и оштро хемијско чишћење. Семицорек-ови носачи имају фини СиЦ кристални премаз који обезбеђује равномерне термичке профиле, ламинарне обрасце протока гаса и спречава контаминацију или дифузију нечистоћа.
У Семицорек-у се фокусирамо на пружање висококвалитетних, исплативих производа нашим купцима. Наша ИЦП ладица за плазма гравирање има предност у цени и извози се на многа европска и америчка тржишта. Циљ нам је да будемо ваш дугорочни партнер, испоручујући производе доследног квалитета и изузетну услугу за кориснике.
Контактирајте нас данас да бисте сазнали више о нашој ИЦП Пласма Етцхинг Траи.

Параметри ИЦП Пласма Етцхинг Траи

Главне спецификације ЦВД-СИЦ премаза
СиЦ-ЦВД својства
Кристална структура	ФЦЦ И² фаза
Густина	г/цм ³	3.21
Тврдоћа	Викерсова тврдоћа	2500
Величине зрна	И¼м	2~10
Хемијска чистоћа	%	99.99995
Топлотни капацитет	Ј·кг-1 ·К-1	640
Температура сублимације	℃	2700
Фелекурал Стренгтх	МПа (РТ 4 тачке)	415
Иоунг'с Модулус	Гпа (4пт савијање, 1300а)	430
Термичка експанзија (Ц.Т.Е)	10-6К-1	4.5
Топлотна проводљивост	(В/мК)	300