> Вести > Индустри Невс

Индустри Невс

Метода раста кристала ГаН

Приликом производње монокристалних супстрата ГаН великих димензија, ХВПЕ је тренутно најбољи избор за комерцијализацију. Међутим, концентрација задњег носача узгојеног ГаН не може се прецизно контролисати.

Опширније

ГаН монокристал

Технологија полупроводника је била окосница модерне цивилизације, фундаментално трансформишући начин на који живимо, радимо и комуницирамо са светом. Омогућио је напредак без преседана у различитим областима укључујући информационе технологије, енергетику, телекомуникације и здравствену заштиту. Од ......

Опширније

СиЦ керамика: Неопходан материјал за компоненте високе прецизности у производњи полупроводника

Производња полупроводника, камен темељац савременог технолошког напретка, је у сталној потрази за мањим, бржим и ефикаснијим интегрисаним колима. Ова немилосрдна потрага покреће потребу за све прецизнијим и софистициранијим производним процесима, где се сваки корак у великој мери ослања на опрему ви......

Опширније

Шта је степен графитизације?

Степен графитизације је суштинска мера која се користи за процену колико су атоми угљеника близу формирању чврсто збијене хексагоналне кристалне структуре графита.

Опширније

Процес раста танког филма

Уобичајени танки филмови се углавном деле у три категорије: полупроводнички танки филмови, танки диелектрични филмови и танки филмови од метала и метала.

Опширније

Хетероепитаксија 3Ц-СиЦ: Преглед

Развој 3Ц-СиЦ, значајног политипа силицијум карбида, одражава континуирани напредак науке о полупроводничким материјалима. Током 1980-их, Нисхино ет ал. први пут постигао 3Ц-СиЦ филм дебљине 4 μм на силицијумској подлози користећи хемијско таложење паре (ЦВД)[1], постављајући темеље за 3Ц-СиЦ технол......

Опширније

<...13 14 15 16 17...32 >