- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Индустри Невс
Ток процеса језгра подлоге од силицијум карбида
Подлога од силицијум карбида је сложени полупроводнички монокристални материјал састављен од два елемента, угљеника и силицијума. Има карактеристике великог појасног размака, високе топлотне проводљивости, велике јачине критичног поља пробоја и високе стопе дрифта засићења електрона.
Опширније
Критична улога СиЦ супстрата и раста кристала у индустрији полупроводника
Унутар ланца индустрије силицијум карбида (СиЦ), добављачи супстрата имају значајну моћ, првенствено због дистрибуције вредности. СиЦ супстрати чине 47% укупне вредности, а следе епитаксијални слојеви са 23%, док дизајн и производња уређаја чине преосталих 30%. Овај обрнути ланац вредности потиче од......
Опширније
Примена СиЦ и ГаН у електричним возилима
СиЦ МОСФЕТ су транзистори који нуде високу густину снаге, побољшану ефикасност и ниске стопе отказа на високим температурама. Ове предности СиЦ МОСФЕТ-а доносе бројне предности електричним возилима (ЕВ), укључујући већи домет вожње, брже пуњење и потенцијално ниже трошкове акумулаторских електричних......
Опширније
4тх Генератион Семицондуцторс Галлиум Окиде/β-Га2О3
Прву генерацију полупроводничких материјала углавном представљају силицијум (Си) и германијум (Ге), који су почели да расте 1950-их. Германијум је био доминантан у раним данима и углавном се користио у нисконапонским, нискофреквентним, транзисторима средње снаге и фотодетекторима, али због своје лош......
Опширније
Епитаксијални раст без дефекта и дислокације неслагања
Епитаксијални раст без дефеката настаје када једна кристална решетка има скоро идентичне константе решетке другој. Раст се дешава када се места решетке две решетке у области интерфејса приближно поклапају, што је могуће уз малу неусклађеност решетке (мање од 0,1%). Ово приближно подударање се постиж......
Опширније
