Рецеивер Дисц

Семицорек сусцептор диск је незаменљив алат у метал-органском хемијском таложењу паре (МОЦВД), посебно пројектован за подупирање и загревање полупроводничких плочица током критичног процеса епитаксијалног таложења слоја. Сусцептор Дисц је кључан у производњи полупроводничких уређаја, где је прецизан раст слојева најважнији. Семицорек-ова посвећеност водећем квалитету на тржишту, удружена са конкурентским фискалним разматрањима, учвршћује нашу жељу да успоставимо партнерства у испуњавању ваших захтева за транспорт полупроводничких плочица.

Пошаљи упит

Опис производа

Израђен од графита високе чистоће и обложен слојем силицијум карбида (СиЦ) користећи МОЦВД технику, Семицорек Сусцептор Дисц комбинује изузетна термичка својства са изузетном хемијском стабилношћу. Превлака од силицијум карбида обезбеђује одличну отпорност на високе температуре и корозивне услове, што је кључно за одржавање интегритета Сусцептор диска у изазовним окружењима.

Поред тога, СиЦ премаз на Сусцептор Дисц-у побољшава његову топлотну проводљивост, што омогућава брзу и равномерну дистрибуцију топлоте која је критична за конзистентан епитаксијални раст. Ефикасно апсорбује и зрачи топлоту, обезбеђујући стабилну, уједначену температуру која је неопходна за таложење танких филмова. Ова униформност је од виталног значаја за постизање висококвалитетних епитаксијалних слојева, који су фундаментални за функционалност и перформансе напредних полупроводничких уређаја.

Дизајн сусцептор диска такође се бави изазовом термичког ширења. Његов минимални коефицијент топлотног ширења обезбеђује јаку везу са епитаксијалним слојевима, смањујући ризик од пуцања услед термичког циклуса. Ова карактеристика, заједно са високом тачком топљења Сусцептор Дисц-а и одличном отпорношћу на оксидацију, омогућава поуздан рад у екстремним условима.

Са овим напредним својствима, Сусцептор Дисц не само да испуњава, већ и превазилази строге захтеве савремених МОЦВД апликација, пружајући поуздано решење високих перформанси које побољшава укупну ефикасност и излаз процеса епитаксијалног раста.