Сиц ивица

Посемични прстен за сиц, произведен путем хемијских таложења паре (ЦВД) Силицијум карбида (СИЦ), представља критични аспект произведенке полуводича, посебно репродуковање важне улоге у процесу израде у производњи комора за производњу плазме. Ивични прстен налази се око спољне ивице електростатичког Цхуцка (ЕСЦ) током процеса јеткања у плазми и има и естетску и функционалну везу са процесним резином.

У полуводичкој интегрисаном кругу (ИЦ) производња, уједначена дистрибуција плазме је критична, али оштећења ивица од пресудног значаја су пресудне за одржавање високих приноса током производње ИБ и ИБФ метода, поред поузданих електричних перформанси других ИЦ-а. Прстен за сиц ивице је важан у управљању поузданошћу плазме на ивици резина, а стабилизујући граничне шљива од ливена у комору без да се њих двоје изједначи као конкурентне променљиве.

Иако се овај процес за едужење на плазми изводи на вафлама, вафли ће бити изложени бомбардовању од високоенергетских јона, а реактивни гасови који доприносе преношењу обрасца преноса. Овај услови стварају процесе густине велике енергије који негативно могу утицати на униформност и квалитет ивице ивице ако се не управљају правилно. Ивични прстен може бити изложен контексту прераде лифе и јер ће генератор електрификоване плазме почети излагати ивице, авинг прстен ће апсорбирати и прераспоредити енергију на ивици коморе и проширити ефикасну ефикасност електричног поља од генератора на ивицу ЕСЦ-а. Овај стабилизујући приступ се користи на различите начине, укључујући смањење количине цурења и изобличења плазме у близини ивице границе од лима која може довести до неуспеха ивице ивице.

Промовисањем уравнотеженог окружења у плазми, прстен СИЦ-а помаже у смањењу ефеката микро учитавања, спречавајући прекорачење на периферији од ливе и проширити живот и компоненте од лима и коморе. То омогућава виши процес поновљивост, смањену дефективност и бољу метрику уједначености у сериводној униформи са високим количинским количинама.

Дисконтинулитети су повезани једни са другима, чинећи оптимизацију процеса на ивици реф-а изазовне. На пример, електрична дисконтинуити могу проузроковати изобличење морфологије омотача, узрокујући да се угао инцидентних јона промијени, на тај начин утицало на униформност за уништавање; Температурна поља Не униформност може утицати на хемијску реакцију, узрокујући да је степен ивице ивице да одступи од оног централног подручја. Као одговор на горе наведене изазове, побољшања се обично врше од два аспекта: Оптимизација дизајна опреме и прилагођавање параметра процеса.

ФОЦУС ПИНГ је кључна компонента за побољшање униформности ивице резина. Инсталиран је око ивице резета да прошири подручје дистрибуције плазме и оптимизира морфологију омотача. У недостатку фокусног прстена, висине између ивице резина и електроде изазива омотач, узрокујући да јони уђу у подручје јеткања у неколикорни угао.

Функције ФОЦУС Прстена укључују:

• Пуњење висинске разлике између ивице резина и електроде, правши скривени, осигуравајући да јони бомбардују површину од резине вертикално и избегавају искривљење.

• Побољшати униформу јеткања и смањити проблеме као што су прекомерни ивице или нагнути профил за стругање.

Материјалне предности

Употреба ЦВД СИЦ-а као основног материјала нуди неколико предности у односу на традиционалне керамичке или обложене материјале. ЦВД СИЦ је хемијски инертна, термички стабилна и веома отпорна на ерозију у плазми, чак и у агресивном флуорично-хлору. Његова одлична механичка снага и стабилност димензије осигуравају дуготрајно стање и ниску генерацију честица под високим температурама бициклистичким условима.

Штавише, ултра-чиста и густа микроструктура ЦВД СИЦ-а смањује ризик од контаминације, чинећи је идеалним за ултра чистом окружењима за обраду у којима чак и нечистоће у траговима могу да утичу на принос у трагу. Његова компатибилност са постојећим платформама ЕСЦ-а и прилагођеним геометријама коморе омогућава бешавну интеграцију са напредним алатима за једрење на 200 мм и 300 мм.