Кина Баррел Рецеивер Мануфацтурерс, Супплиерс, Фацтори

Цијевни пријемници су критична компонента која се користи у различитим производним процесима полупроводника, као што су ЛПЕ, МОЦВД. Семицорек наноси силицијум карбид високе чистоће у танким слојевима на графит коришћењем процеса хемијског таложења из паре (ЦВД), који материјал чини полупроводничким са одличном термичком стабилношћу, хемијском отпорношћу и отпорношћу на хабање, што их чини идеалним за употребу у високо- температурни процеси.

● Графит обложен СиЦ-ом високе чистоће

● Врхунска отпорност на топлоту и хемијску отпорност

● Висока термичка униформност

● Одлична отпорност на хабање

View as

Епитаксијално таложење силицијума у бачвастом реактору

Ако вам је потребан графитни сусцептор високих перформанси за употребу у апликацијама за производњу полупроводника, Семицорек силицијумски епитаксијални реактор за таложење у бачви је идеалан избор. Његов СиЦ премаз високе чистоће и изузетна топлотна проводљивост обезбеђују врхунску заштиту и својства расподеле топлоте, што га чини избором за поуздане и доследне перформансе чак и у најизазовнијим окружењима.

Опширније Пошаљи упит

Индуктивно загрејана бачва Епи систем

Ако вам је потребан графитни пријемник са изузетном топлотном проводљивошћу и својствима расподеле топлоте, не тражите даље од Семицорек индуктивно загрејаног бачва Епи система. Његов СиЦ премаз високе чистоће пружа врхунску заштиту у високотемпературним и корозивним окружењима, што га чини идеалним избором за употребу у производњи полупроводника.

Опширније Пошаљи упит

Структура цеви за полупроводнички епитаксијални реактор

Са својом изузетном топлотном проводљивошћу и својствима расподеле топлоте, Семицорек бачваста структура за полупроводнички епитаксијални реактор је савршен избор за употребу у ЛПЕ процесима и другим апликацијама у производњи полупроводника. Његов СиЦ премаз високе чистоће пружа врхунску заштиту у високотемпературном и корозивном окружењу.

Опширније Пошаљи упит

Сусцептор графитне цеви обложен СиЦ

Ако тражите графитни носач високих перформанси за употребу у апликацијама за производњу полупроводника, Семицорек СиЦ обложени графитни носач је идеалан избор. Његова изузетна топлотна проводљивост и својства дистрибуције топлоте чине га избором за поуздане и доследне перформансе у високотемпературним и корозивним срединама.

Опширније Пошаљи упит

Сусцептор раста кристала обложен СиЦ-ом

Са својом високом тачком топљења, отпорношћу на оксидацију и отпорношћу на корозију, Семицорек СиЦ-превучени кристални сусцептор за раст је идеалан избор за употребу у апликацијама раста монокристала. Његов премаз од силицијум карбида пружа одличну равност и својства расподеле топлоте, што га чини идеалним избором за окружења са високим температурама.

Опширније Пошаљи упит

Баррел Сусцептор за епитаксију течне фазе

Ако вам је потребан графитни пријемник који може поуздано и доследно да ради чак и у најзахтевнијим окружењима високе температуре и корозије, Семицорек Баррел Сусцептор за течну фазну епитаксију је савршен избор. Његов премаз од силицијум карбида обезбеђује одличну топлотну проводљивост и дистрибуцију топлоте, обезбеђујући изузетне перформансе у апликацијама у производњи полупроводника.

Опширније Пошаљи упит

<1 2 3 4 5 >

Семицорек производи Баррел Рецеивер дуги низ година и један је од професионалних Баррел Рецеивер произвођача и добављача у Кини. Једном када купите наше напредне и издржљиве производе који испоручују расуто паковање, гарантујемо велику количину брзе испоруке. Током година, клијентима смо пружали прилагођену услугу. Купци су задовољни нашим производима и одличном услугом. Искрено се радујемо што ћемо постати Ваш поуздан дугорочни пословни партнер! Добродошли у куповину производа из наше фабрике.

Кина Баррел Рецеивер Мануфацтурерс, Супплиерс, Фацтори

Епитаксијално таложење силицијума у ​​бачвастом реактору

Индуктивно загрејана бачва Епи систем

Структура цеви за полупроводнички епитаксијални реактор

Сусцептор графитне цеви обложен СиЦ

Сусцептор раста кристала обложен СиЦ-ом

Баррел Сусцептор за епитаксију течне фазе

Епитаксијално таложење силицијума у бачвастом реактору