8-инчни епидни прстен ЕПИ

Семицорек 8-инчни ЕПИ доњи прстен је важан структурни део који се користи за опрему за полуводичку епитакцију и посебно је дизајниран да буде доњи прстен комплетне скупштине суцептора. Доњи прстен подржава систем носача од лима током епитаксијаног раста резета док доприноси стабилност механике, термичке униформности и интегритета процеса који су потребни за производњу полуводича високог перформанси. Доњи прстен је произведен од графита високог чистоће који је пресвучен на површини, са густим и једноличним премазом силицијум карбида (СИЦ). Као резултат тога, представља веома поуздану алтернативу за напредне епитаксијачке реакте под екстремним топлотним и хемијским условима.

Графит је најприкладнији основни материјал за доњи прстен због светлосне тежине, одлична топлотна проводника и нептересна конструкција са тангенцијалним и вертикалним димензијама стабилност под високом температуром. Ова својства омогућавају доњи прстен да би се покренуо термички брзином и, стога показује доследан континуитет у механичком учинку у служби. Срачни премаз се примењује коришћењем поступка хемијске таложења (ЦВД) за производњу густе и оштећене керамичке спољне слојеве. Поред тога, ЦВД процес омогућава процес који ограничава производњу и стварање честица тако што ће водити СИЦ премаз пажљиво да не омета основни супстрат графит. Као амалгамација СИЦ-а и графита, површински слој СИЦ-а је хемијски инертан на корозивно деловање процесних гасова, посебно са хидрогенским и хлорованим нуспроизводима и има и одличну тврдоћу и отпорност на хабање - обезбеђујући што више подршке на системским системом важера током употребе.

8-инчни епинијски прстен ЕПИ направљен је за компатибилност са најсверизонталним или вертикалним моцвд и цвд епитакксијским алатима који депонују силицијум, силицијум карбид или једињењенски полуводичи. Оптимизована геометрија дизајнирана је тако да одговара суцепторима и врхунским компонентама система држача на прецизно поравнање, универзалну дистрибуцију топлоте и стабилност у ротирању вафла. Одлична равност и концентричност прстена атрибута увозу униформи за епитакксију и минимизирајући недостатке на површини од лифе.

Једна од предности овог СИЦ-овог графичног прстена је ниско понашање емисије честица које минимизира контаминацију резета током обраде. СИЦ слој снижава избацивање и генерисање честица угљеника у поређењу са неиспуњеним графитним компонентама за постизање чистог окружења комора и веће стопе приноса. Поред тога, одлична топлотна отпорност на ударце композитне структуре продужава живот производа, смањује замену и нижи трошкови рада за произвођаче полуводича.

Сви су доњи прстенови димензионално проверени, проверени су квалитет површине и тестирани топлотни циклус како би се осигурало да испуне значајне потребе окружења окружења полуводича. Поред тога, дебљина површинског премаза је више него адекватна за механичку и топлотну потенцијалну компатибилност; СИЦ премази су рутински испитани на факторе адхезије који осигуравају да се љуштење или љуштење не појави када су доњи прстенови изложени високом таложењу на високом температуру. Прстен равног доња може се прилагодити неколико мањих димензионалних и превлака варијација имовине за индивидуални дизајн реактора и примене процеса.

Посемички 8-инчни ЕПИ прстен са полугодица из Семицорек-а нуди одличну равнотежу чврстоће, хемијске отпорности и повољних топлотних карактеристика за системе епитаксија. Због познатих предности СИЦ обложеног графита, овај доњи прстен пружа већи квалитет важења, нижу вероватноћу контаминације и дуже радни век у било којој процесу одлагања на високу температуру. Овај доњи прстен је пројектован за употребу са СИ, СИЦ или ИИИ-В материјалним растом материјалног материјала; Учињено је да понуди поуздану, поновљиву удобност у производњи захтевног полуводича.