Монокристални силицијум Епи рецептор

Синокристални силицијум Епи сусцептор је суштинска компонента дизајнирана за процесе епитаксије Си-ГаН, која се може прилагодити индивидуализованим спецификацијама и преференцијама, пружајући решење по мери које је савршено усклађено са специфичним захтевима. Било да се ради о модификацијама у димензијама или прилагођавању дебљине премаза, ми поседујемо могућност да дизајнирамо и испоручимо производ који прилагођава различите процесне параметре, чиме оптимизира перформансе за циљане апликације. Семицорек-ова посвећеност водећем квалитету на тржишту, удружена са конкурентским фискалним разматрањима, учвршћује нашу жељу да успоставимо партнерства у испуњавању ваших захтева за транспорт полупроводничких плочица.

Пошаљи упит

Опис производа

Сусцептори у епитаксијалној обради раста захтевају способност да издрже повишене температуре и издрже ригорозне поступке хемијског чишћења. Монокристални силицијум Епи Сусцептор је пажљиво пројектован да задовољи ове захтевне захтеве који се срећу у апликацијама опреме за епитаксију.

Ови пријемници имају конструкцију која се састоји од графита обложеног силицијум карбидом (СиЦ) високе чистоће, који даје неупоредиву отпорност на топлоту, обезбеђујући уједначену топлотну дистрибуцију за конзистентну дебљину слоја епитаксије и отпорност.

Поред тога, монокристални силиконски Епи Сусцептор показује изузетну издржљивост против јаких хемијских средстава за чишћење. Коришћење финог СиЦ кристалног премаза додатно доприноси чистој, глаткој површини, што је од највеће важности за ефикасно руковање, пошто неокаљане плочице долазе у контакт са пријемником преко бројних тачака на целој својој површини.

Коришћење монокристалног силиконског Епи сусцептора обезбеђује непоколебљиву поузданост и продужени животни век, ублажавајући потребу за честим заменама и накнадно минимизирајући време застоја и трошкове одржавања. Његова чврста конструкција и изузетне оперативне способности значајно доприносе повећању ефикасности процеса, на крају јачајући продуктивност и исплативост у домену операција производње полупроводника.