> Вести

Вести

Како извршити ЦМП процес

У процесу производње силицијумске плочице, након што се кристална шипка исече на силицијумске плочице, мораће да буде полирана и очишћена да би се добила једнокристална силицијумска плочица попут огледала.

Опширније

Шта је ЦМП процес

У производњи полупроводника, равнина на атомском нивоу се обично користи за описивање глобалне равности плочице, са јединицом нанометара (нм).

Опширније

Које су предности и мане сувог и мокрог гравирања?

Јеткање је суштински процес у производњи полупроводника. Овај процес се може категорисати у две врсте: суво гравирање и мокро гравирање. Свака техника има своје предности и ограничења, због чега је важно разумети разлике између њих. Дакле, како одабрати најбољу методу гравирања? Које су предности и ......

Опширније

Основни материјал за раст СиЦ: премаз од тантал карбида

Тренутни полупроводници треће генерације су првенствено засновани на силицијум карбиду, при чему супстрати чине 47% трошкова уређаја, а епитаксија чини 23%, што укупно чини око 70% и чини најважнији део индустрије производње СиЦ уређаја.

Опширније

Ион Имплант анд Диффусион Процесс

Јонска имплантација је метода допинговања полупроводника и један од главних процеса у производњи полупроводника.

Опширније

Изазови технологије јонске имплантације у СиЦ и ГаН енергетским уређајима

Очекује се да ће полупроводници са широким појасом (ВБГ) као што су силицијум карбид (СиЦ) и галијум нитрид (ГаН) играти све важнију улогу у енергетским електронским уређајима. Они нуде неколико предности у односу на традиционалне силиконске (Си) уређаје, укључујући већу ефикасност, густину снаге и ......

Опширније

<...10 11 12 13 14...30 >