4-инчни Н-тип СиЦ подлога

Семицорек нуди различите типове 4Х и 6Х СиЦ плочица. Већ дуги низ година смо произвођач и добављач производа од силицијум карбида. Наш 4-инчни Н-тип СиЦ супстрат има добру предност у цени и покрива већину европских и америчких тржишта. Радујемо се што ћемо постати ваш дугорочни партнер у Кини.

Пошаљи упит

Опис производа

Семицорек има комплетну линију производа од силицијум карбида(СиЦ), укључујући 4Х и 6Х подлоге са Н-типом, П-типом и полуизолационим плочицама високе чистоће, могу бити са или без епитаксије. 4-инчни Н-тип СиЦ (силицијум карбид) супстрат је врста висококвалитетних плочица направљених од једног кристала силицијум карбида са допингом Н-типа.

4-инчни Н-тип СиЦ супстрат се углавном користи у новим енергетским возилима, високонапонским преносима и подстаницама, белој техници, брзим возовима, електричним моторима, фотонапонским инвертерима, импулсним изворима напајања и другим пољима, који имају предности смањења опреме губитак енергије, побољшање поузданости опреме, смањење величине опреме и побољшање перформанси опреме и имају незаменљиве предности у изради енергетских електронских уређаја.

Предмети	Производња	Истраживања	Думми
Цристал Параметерс
Политипе	4Х
Грешка у оријентацији површине	<11-20 >4±0,15°
Елецтрицал Параметерс
Допант	Азот н-типа
Отпорност	0,015-0,025 охм·цм
Механички параметри
Пречник	99,5 - 100 мм
Дебљина	350±25 μм
Примарна равна оријентација	[1-100]±5°
Примарна равна дужина	32,5±1,5 мм
Секундарни равни положај	90° ЦВ од примарног равног ±5°. силицијум лицем нагоре
Секундарна равна дужина	18±1.5мм
ТТВ	≤5 μм	≤10 μм	≤20 μм
ЛТВ	≤2 μм (5мм*5мм)	≤5 μм (5мм*5мм)	ТО
Бов	-15 μм ~ 15 μм	-35μм ~ 35μм	-45μм ~ 45μм
Варп	≤20 μм	≤45 μм	≤50 μм
Предња (Си-фаце) храпавост (АФМ)	Ра≤0,2нм (5μм*5μм)
Структура
Густина микропипе	≤1 еа/цм2	≤5 еа/цм2	≤10 еа/цм2
Металне нечистоће	≤5Е10атома/цм2		ТО
БПД	≤1500 еа/цм2	≤3000 еа/цм2	ТО
ТСД	≤500 еа/цм2	≤1000 еа/цм2	ТО
Фронт Куалити
Фронт	И
Завршна обрада	Си-фаце ЦМП
Честице	≤60еа/вафер (величина≥0,3μм)	ТО
Огреботине	≤2еа/мм. Кумулативна дужина ≤Пречник	Кумулативна дужина≤2*Пречник	ТО
Наранџина кора/рупице/мрље/пруге/пукотине/загађење	Ниједан		ТО
Ивичне струготине / удубљења / фрактуре / хексадецималне плоче	Ниједан		ТО
Политипске области	Ниједан	Кумулативна површина≤20%	Кумулативна површина≤30%
Предње ласерско обележавање	Ниједан
Бацк Куалити
Завршна обрада	Ц-фаце ЦМП
Огреботине	≤5еа/мм, кумулативна дужина≤2*Пречник	ТО
Дефекти на полеђини (ивичњаци/удубљења)	Ниједан
Храпавост леђа	Ра≤0,2нм (5μм*5μм)
Ласерско обележавање леђа	1 мм (од горње ивице)
Едге
Едге	Цхамфер
Паковање
Паковање	Унутрашња врећа је напуњена азотом, а спољна врећа се усисава. Мулти-вафер касета, епи-реади.
*Напомене: „НА“ значи да нема захтева Ставке које нису поменуте могу се односити на СЕМИ-СТД.