Кућа > Производи > Вафер > СиЦ супстрат > 4-инчни Н-тип СиЦ подлога

Производи

4-инчни Н-тип СиЦ подлога
  • 4-инчни Н-тип СиЦ подлога4-инчни Н-тип СиЦ подлога
  • 4-инчни Н-тип СиЦ подлога4-инчни Н-тип СиЦ подлога

4-инчни Н-тип СиЦ подлога

Семицорек нуди различите типове 4Х и 6Х СиЦ плочица. Већ дуги низ година смо произвођач и добављач производа од силицијум карбида. Наш 4-инчни Н-тип СиЦ супстрат има добру предност у цени и покрива већину европских и америчких тржишта. Радујемо се што ћемо постати ваш дугорочни партнер у Кини.

Пошаљи упит

Опис производа

Семицорек има комплетну линију производа од силицијум карбида(СиЦ), укључујући 4Х и 6Х подлоге са Н-типом, П-типом и полуизолационим плочицама високе чистоће, могу бити са или без епитаксије. 4-инчни Н-тип СиЦ (силицијум карбид) супстрат је врста висококвалитетне плочице направљене од једног кристала силицијум карбида са допингом Н-типа.

4-инчни Н-тип СиЦ супстрат се углавном користи у новим енергетским возилима, високонапонским преносима и подстаницама, белој техници, брзим возовима, електричним моторима, фотонапонским инвертерима, импулсним изворима напајања и другим пољима, који имају предности смањења опреме губитак енергије, побољшање поузданости опреме, смањење величине опреме и побољшање перформанси опреме и имају незаменљиве предности у изради енергетских електронских уређаја.

Предмети

Производња

Истраживања

Думми

Цристал Параметерс

Политипе

Грешка у оријентацији површине

<11-20 >4±0,15°

Елецтрицал Параметерс

Допант

н-тип азота

Отпорност

0,015-0,025 охм·цм

Механички параметри

Пречник

99,5 - 100 мм

Дебљина

350±25 И¼м

Примарна равна оријентација

[1-100]±5°

Примарна равна дужина

32,5±1,5 мм

Секундарни равни положај

90° ЦВ од примарног равног ±5°. силицијум лицем нагоре

Секундарна равна дужина

18±1.5мм

ТТВ

а¤5 И¼м

а¤10 И¼м

а¤20 И¼м

ЛТВ

а¤2 И¼м(5мм*5мм)

а¤5 И¼м(5мм*5мм)

НА

Лук

-15И¼м ~ 15И¼м

-35И¼м ~ 35И¼м

-45И¼м ~ 45И¼м

Варп

а¤20 И¼м

а¤45 И¼м

а¤50 И¼м

Предња (Си-фаце) храпавост (АФМ)

Раа¤0,2нм (5И¼м*5И¼м)

Структура

Густина микропипе

а¤1 еа/цм2

а¤5 еа/цм2

а¤10 еа/цм2

Металне нечистоће

а¤5Е10атома/цм2

НА

БПД

а¤1500 еа/цм2

а¤3000 еа/цм2

НА

ТСД

а¤500 еа/цм2

а¤1000 еа/цм2

НА

Фронт Куалити

Фронт

Си

Завршна обрада

Си-фаце ЦМП

Честице

а¤60еа/вафер (величинаа¥0,3И¼м)

НА

Огреботине

а¤2еа/мм. Кумулативна дужина а¤Пречник

Кумулативна дужинаа¤2*Пречник

НА

Наранџина кора/рупице/мрље/пруге/пукотине/загађење

Ниједан

НА

Ивичне струготине / удубљења / фрактуре / хексадецималне плоче

Ниједан

НА

Политипске области

Ниједан

Кумулативна површинаа¤20%

Кумулативна површинаа¤30%

Предње ласерско обележавање

Ниједан

Бацк Куалити

Завршна обрада

Ц-фаце ЦМП

Огреботине

а¤5еа/мм, кумулативна дужинаа¤2*Пречник

НА

Дефекти на полеђини (ивичњаци/удубљења)

Ниједан

Храпавост леђа

Раа¤0,2нм (5И¼м*5И¼м)

Ласерско обележавање леђа

1 мм (од горње ивице)

Ивица

Ивица

Цхамфер

Паковање

Паковање

Унутрашња врећа је напуњена азотом, а спољна врећа се усисава.

Мулти-вафер касета, епи-реади.

*Напоменеи¼ "НА" значи да нема захтева Ставке које нису поменуте могу се односити на СЕМИ-СТД.





Хот Тагс: 4-инчни Н-тип СиЦ супстрат, Кина, произвођачи, добављачи, фабрика, прилагођени, расути, напредни, издржљиви

Повезана категорија

Пошаљи упит

Слободно пошаљите свој упит у форму испод. Одговорићемо вам у року од 24 сата.
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept