> Производи > Вафер > СиЦ супстрат > Полуизолациона ХПСИ СиЦ двострано полирана подлога од 4 инча високе чистоће

Производи

Нови производи

Полуизолациона ХПСИ СиЦ двострано полирана подлога од 4 инча високе чистоће

Семицорек нуди различите типове 4Х и 6Х СиЦ плочица. Већ дуги низ година смо произвођач и добављач подлога за вафле. Наша полуизолациона ХПСИ СиЦ двострано полирана подлога од 4 инча високе чистоће има добру предност у цени и покрива већину европских и америчких тржишта. Радујемо се што ћемо постати ваш дугорочни партнер у Кини.

Пошаљи упит

Опис производа

Семицорек има комплетну линију производа од силицијум карбида(СиЦ), укључујући 4Х и 6Х супстрате са Н-типом, П-типом и полуизолационим плочицама високе чистоће, могу бити са или без епитаксије.

Представљамо наш врхунски 4-инчни полуизолациони ХПСИ СиЦ двострано полирани подлогу за вафле високе чистоће, врхунски производ који је дизајниран да испуни захтевне захтеве напредних електронских и полупроводничких апликација.

4-инчни полуизолациони ХПСИ СиЦ двострано полирани супстрат вафла се углавном користи у 5Г комуникацијама, радарским системима, главама за навођење, сателитским комуникацијама, ратним авионима и другим пољима, са предностима повећања РФ домета, ултра дугог домета идентификацију, заштиту од ометања и велике брзине преноса информација великог капацитета и друге апликације, сматра се најидеалнијом подлогом за израду уређаја за напајање микроталасних пећница.

Спецификације:

● Пречник: 4″

● Двоструко полирани

●л разред: производња, истраживање, лутка

● 4Х-СиЦ ХПСИ Вафер

● Дебљина: 500±25 μм

●л Густина микропипе: ≤1 еа/цм²~ ≤10 еа/цм²

Предмети	Производња	Истраживања	Думми
Цристал Параметерс
Политипе	4Х
Површинска оријентација на оси	<0001 >
Оријентација површине ван осе	0±0,2°
(0004)ФВХМ	≤45арцсец	≤60арцсец	≤1ООарцсец
Елецтрицал Параметерс
Тип	ХПСИ
Отпорност	≥1 Е9охм·цм	100% површина > 1 Е5охм·цм	70% површине > 1 Е5охм·цм
Мецханицал Параметерс
Пречник	99,5 - 100 мм
Дебљина	500±25 μм
Примарна равна оријентација	[1-100]±5°
Примарна равна дужина	32,5±1,5 мм
Секундарни равни положај	90° ЦВ од примарног равног ±5°. силицијум лицем нагоре
Секундарна равна дужина	18±1.5мм
ТТВ	≤5 μм	≤10 μм	≤20 μм
ЛТВ	≤2 μм (5мм*5мм)	≤5 μм (5мм*5мм)	ТО
Бов	-15 μм ~ 15 μм	-35μм ~ 35μм	-45μм ~ 45μм
Варп	≤20 μм	≤45 μм	≤50 μм
Предња (Си-фаце) храпавост (АФМ)	Ра≤0,2нм (5μм*5μм)
Структура
Густина микропипе	≤1 еа/цм²	≤5 еа/цм²	≤10 еа/цм²
Густина укључивања угљеника	≤1 еа/цм²	ТО
Хексагонална празнина	Ниједан	ТО
Металне нечистоће	≤5Е12атома/цм²		ТО
Фронт Куалити
Фронт	И
Завршна обрада	Си-фаце ЦМП
Честице	≤60еа/вафер (величина≥0,3μм)	ТО
Огреботине	≤2еа/мм. Кумулативна дужина ≤Пречник	Кумулативна дужина≤2*Пречник	ТО
Наранџина кора/рупице/мрље/пруге/пукотине/загађење	Ниједан		ТО
Ивичне струготине / удубљења / фрактуре / хексадецималне плоче	Ниједан
Политипске области	Ниједан	Кумулативна површина≤20%	Кумулативна површина≤30%
Предње ласерско обележавање	Ниједан
Бацк Куалити
Завршна обрада	Ц-фаце ЦМП
Огреботине	≤5еа/мм, кумулативна дужина≤2*Пречник	ТО
Дефекти на леђима (ивични ивици/удубљења)	Ниједан
Храпавост леђа	Ра≤0,2нм (5μм*5μм)
Ласерско обележавање леђа	1 мм (од горње ивице)
Едге
Едге	Цхамфер
Паковање
Паковање	Унутрашња врећа је напуњена азотом, а спољна врећа се усисава. Мулти-вафер касета, епи-реади.
*Напомене: „НА“ значи да нема захтева Ставке које нису поменуте могу се односити на СЕМИ-СТД.

Хот Тагс: 4-инчни полуизолациони ХПСИ СиЦ двострано полирани супстрат вафла високе чистоће, Кина, произвођачи, добављачи, фабрика, прилагођени, расути, напредни, издржљиви

Ознака производа

Повезана категорија