> Производи > Вафер > СиЦ супстрат > Полуизолациона ХПСИ СиЦ двострано полирана подлога од 4 инча високе чистоће

Производи

Нови производи

Полуизолациона ХПСИ СиЦ двострано полирана подлога од 4 инча високе чистоће

Семицорек нуди различите типове 4Х и 6Х СиЦ плочица. Већ дуги низ година смо произвођач и добављач подлога за вафле. Наша полуизолациона ХПСИ СиЦ двострано полирана подлога од 4 инча високе чистоће има добру предност у цени и покрива већину европских и америчких тржишта. Радујемо се што ћемо постати ваш дугорочни партнер у Кини.

Пошаљи упит

Опис производа

Семицорек има комплетну линију производа од силицијум карбида(СиЦ), укључујући 4Х и 6Х подлоге са Н-типом, П-типом и полуизолационим плочицама високе чистоће, могу бити са или без епитаксије.

Представљамо наш најсавременији 4-инчни полуизолациони ХПСИ СиЦ двострано полирани подлогу за плочице високе чистоће, врхунски производ који је дизајниран да испуни захтевне захтеве напредних електронских и полупроводничких апликација.

4-инчни полуизолациони ХПСИ СиЦ двострано полирани вафер супстрат се углавном користи у 5Г комуникацијама, радарским системима, главама за навођење, сателитским комуникацијама, ратним авионима и другим пољима, са предностима повећања РФ домета, ултра дугог домета идентификацију, заштиту од ометања и велике брзине преноса информација великог капацитета и друге апликације, сматра се најидеалнијом подлогом за прављење уређаја за напајање микроталасних пећница.

Спецификације:

а Пречник: 4а³

а Двоструко полирани

ал Оцена: Производња, Истраживање, Думми

а 4Х-СиЦ ХПСИ Вафер

а Дебљина: 500±25 И¼м

ал Густина микропипе: а¤1 еа/цм²~ а¤10 еа/цм²

Предмети	Производња	Истраживања	Думми
Цристал Параметерс
Политипе	4Х
Оријентација површине на оси	<0001 >
Оријентација површине ван осе	0±0,2°
(0004)ФВХМ	а¤45арцсец	а¤60арцсец	а¤1ООарцсец
Елецтрицал Параметерс
Тип	ХПСИ
Отпорност	а¥1 Е9охм·цм	100% површина > 1 Е5охм·цм	70% површине > 1 Е5охм·цм
Механички параметри
Пречник	99,5 - 100 мм
Дебљина	500±25 И¼м
Примарна равна оријентација	[1-100]±5°
Примарна равна дужина	32,5±1,5 мм
Секундарни равни положај	90° ЦВ од примарног равног ±5°. силицијум лицем нагоре
Секундарна равна дужина	18±1.5мм
ТТВ	а¤5 И¼м	а¤10 И¼м	а¤20 И¼м
ЛТВ	а¤2 И¼м(5мм*5мм)	а¤5 И¼м(5мм*5мм)	НА
Лук	-15И¼м ~ 15И¼м	-35И¼м ~ 35И¼м	-45И¼м ~ 45И¼м
Варп	а¤20 И¼м	а¤45 И¼м	а¤50 И¼м
Предња (Си-фаце) храпавост (АФМ)	Раа¤0,2нм (5И¼м*5И¼м)
Структура
Густина микропипе	а¤1 еа/цм²	а¤5 еа/цм²	а¤10 еа/цм²
Густина укључивања угљеника	а¤1 еа/цм²	НА
Хексагонална празнина	Ниједан	НА
Металне нечистоће	а¤5Е12атома/цм²		НА
Фронт Куалити
Фронт	Си
Завршна обрада	Си-фаце ЦМП
Честице	а¤60еа/вафер (величинаа¥0,3И¼м)	НА
Огреботине	а¤2еа/мм. Кумулативна дужина а¤Пречник	Кумулативна дужинаа¤2*Пречник	НА
Наранџина кора/рупице/мрље/пруге/пукотине/загађење	Ниједан		НА
Ивичне струготине / удубљења / фрактуре / хексадецималне плоче	Ниједан
Политипске области	Ниједан	Кумулативна површинаа¤20%	Кумулативна површинаа¤30%
Предње ласерско обележавање	Ниједан
Бацк Куалити
Завршна обрада	Ц-фаце ЦМП
Огреботине	а¤5еа/мм, кумулативна дужинаа¤2*Пречник	НА
Дефекти на полеђини (ивичњаци/удубљења)	Ниједан
Храпавост леђа	Раа¤0,2нм (5И¼м*5И¼м)
Ласерско обележавање леђа	1 мм (од горње ивице)
Ивица
Ивица	Цхамфер
Паковање
Паковање	Унутрашња врећа је напуњена азотом, а спољна врећа се усисава. Мулти-вафер касета, епи-реади.
*Напоменеи¼ "НА" значи да нема захтева Ставке које нису поменуте могу се односити на СЕМИ-СТД.

Хот Тагс: Полуизолациона ХПСИ СиЦ двострано полирана подлога од 4 инча високе чистоће, Кина, произвођачи, добављачи, фабрика, прилагођени, расути, напредни, издржљиви