Вести

Шта је ЦВД процес у полупроводнику?

Хемијско таложење паре ЦВД се односи на увођење две или више гасовитих сировина у реакциону комору у условима вакуума и високе температуре, где гасовите сировине реагују једна са другом да би формирале нови материјал, који се таложи на површини плочице.

Преглед развоја фотонапонске индустрије

До 2027. соларни фотонапонски (ПВ) ће престићи угаљ као највећи инсталирани капацитет на свету. Кумулативни инсталисани капацитет соларне ПВ се скоро утростручио у нашој прогнози, растући за скоро 1.500 гигавата током овог периода, и надмашиће природни гас до 2026. и угаљ до 2027.

ГаН индустријске апликације

Области примене ГаН на бази СиЦ и на бази Си нису стриктно одвојене. У ГаН-Он-СиЦ уређајима, цена СиЦ супстрата је релативно висока, а са растућом зрелошћу СиЦ дугокристалне технологије, очекује се да ће цена уређаја додатно опасти, а користи се у енергетским уређајима у области енергетске електрони......

О полупроводничким грејним елементима

Топлотна обрада је један од битних и важних процеса у процесу полупроводника. Термички процес је процес примене топлотне енергије на плочицу стављањем у окружење испуњено одређеним гасом, укључујући оксидацију/дифузију/жарење, итд.

Започните производњу 3Ц-СиЦ плочице

Топлотна проводљивост масивног 3Ц-СиЦ, недавно измерена, друга је највећа међу великим кристалима инча, рангирајући се одмах испод дијаманта. Силицијум карбид (СиЦ) је полупроводник са широким појасом који се широко користи у електронским апликацијама и постоји у различитим кристалним облицима позна......

Семицорек најављује 8-инчни СиЦ епитаксијалну плочицу