ГаН-он-Си Епи Вафер Цхуцк

Семицорек ГаН-он-Си Епи стезна глава је саставни део производње полупроводника, омогућавајући стабилну и поуздану подршку током критичних процеса као што су таложење, гравирање и литографија. ГаН-он-Си Епи стезна глава осигурава ефикасно одвођење топлоте, одржавајући уједначену дистрибуцију температуре по плочи како би се спречили термички градијенти који би могли изазвати дефекте. ГаН-он-Си Епи стезна глава је доступна у различитим величинама и конфигурацијама како би се прилагодила различитим димензијама плочице и захтевима обраде, нудећи флексибилност за различите потребе производње полупроводника.

Пријаве:

Епитаксијални раст: ГаН-он-Си Епи Вафер Цхуцк обезбеђује стабилну платформу за раст висококвалитетних ГаН слојева на силицијумским подлогама, ГаН-он-Си Епи Вафер Цхуцк је од суштинског значаја за електронске и оптоелектронске уређаје високих перформанси.

Нагризање и таложење: Олакшава једнолично уклањање или таложење материјала, што је кључно за постизање жељених структурних и електричних својстава уређаја.

ГаН-он-Си Епи стезна глава је незамењив алат за произвођаче полупроводника који имају за циљ да производе најсавременије уређаје засноване на ГаН-у, нудећи неупоредиве перформансе у прецизности, стабилности и издржљивости.