Халфмоон обложен ТаЦ

Халфмоон обложен Семицорек ТаЦ нуди убедљиве предности у епитаксијалном расту силицијум карбида (СиЦ) за енергетску електронику и РФ апликације. Ова комбинација материјала решава критичне изазове у СиЦ епитаксији, омогућавајући виши квалитет плочице, побољшану ефикасност процеса и смањене трошкове производње. Ми у Семицорек-у смо посвећени производњи и испоруци полумесеца обложеног ТаЦ-ом високих перформанси који спаја квалитет и економичност.**

Пошаљи упит

Опис производа

Халфмоон обложен Семицорек ТаЦ одржава свој структурни интегритет и хемијску инертност на повишеним температурама (до 2200°Ц) потребним за СиЦ епитаксију. Ово обезбеђује доследне термичке перформансе и спречава нежељене реакције са процесним гасовима или изворним материјалима. И може бити пројектован тако да оптимизује топлотну проводљивост и емисивност, промовишући уједначену дистрибуцију топлоте преко површине пријемника. Ово доводи до хомогенијих температурних профила плочице и побољшане униформности у дебљини епитаксијалног слоја и концентрацији допинга. Штавише, коефицијент термичке експанзије Халфмоон-а обложеног ТаЦ-ом може се прилагодити тако да се блиско подудара са СиЦ-ом, минимизирајући топлотни стрес током циклуса грејања и хлађења. Ово смањује савијање плочице и ризик од формирања дефеката, доприносећи већем приносу уређаја.

Халфмоон обложен ТаЦ значајно продужава радни век графитних снопова у поређењу са алтернативама без премаза/СиЦ. Повећана отпорност на таложење СиЦ и термичку деградацију смањује учесталост циклуса чишћења и замене, смањујући укупне трошкове производње.

Предности за перформансе СиЦ уређаја:

Побољшана поузданост и перформансе уређаја:Побољшана униформност и смањена густина дефекта у епитаксијалним слојевима узгојеним на Халфмоон-у обложеном ТаЦ-ом доводе до већег приноса уређаја и побољшаних перформанси у смислу напона пробоја, отпора на укључење и брзине пребацивања.

Исплативо решење за производњу великог обима:Продужени век трајања, смањени захтеви за одржавање и побољшани квалитет плочице доприносе исплативијем производном процесу за СиЦ уређаје за напајање.

Халфмоон обложен Семицорек ТаЦ игра кључну улогу у унапређењу СиЦ епитаксије тако што се бави кључним изазовима у вези са компатибилношћу материјала, термичким управљањем и контаминацијом процеса. Ово омогућава производњу квалитетнијих СиЦ плочица, што доводи до ефикаснијих и поузданијих енергетских електронских уређаја за примену у електричним возилима, обновљивим изворима енергије и другим захтевним индустријама.