СИЦОИ Вафер

МИ СМОваферје композитни полупроводнички материјал са трослојном структуром који се прави јединственом методом.

Доњи слој структуре СИЦОИ плочице је силицијумски супстрат, који пружа поуздану механичку подршку како би се осигурала структурна стабилност СИЦОИ плочице. Његова оптимална топлотна проводљивост смањује утицај акумулације топлоте на перформансе полупроводничких уређаја, омогућавајући им да дуго раде нормално чак и при великој снази. Поред тога, силицијумски супстрат је компатибилан са опремом и машинама које се тренутно користе у производњи полупроводника. Ово успешно смањује трошкове производње и сложеност, а истовремено убрзава истраживање и развој производа и масовну производњу.

Смештен између силицијумске подлоге и слоја СиЦ уређаја, изолациони оксидни слој је средњи слој СИЦОИ плочице. Изолујући струјне путеве између горњег и доњег слоја, изолациони оксидни слој ефикасно смањује ризик од кратких спојева и гарантује стабилне електричне перформансе полупроводничких уређаја. Због своје ниске карактеристике апсорпције, може значајно смањити оптичко расејање и побољшати ефикасност преноса оптичког сигнала полупроводничких уређаја.

Слој уређаја од силицијум карбида је основни функционални слој структуре СИЦОИ плочице. Неопходан је за постизање електронских, фотонских и квантних функција високих перформанси због своје изузетне механичке чврстоће, високог индекса преламања, ниског оптичког губитка и изузетне топлотне проводљивости.

Примене СИЦОИ вафла:

1. За производњу нелинеарног оптичког уређаја као што је чешаљ оптичке фреквенције.

вафер

3.За производњу електро-оптичког модулатора

4. За производњу уређаја енергетске електронике, као што су прекидачи за напајање и РФ уређаји.

5. За производњу МЕМС сензора као што су акцелерометар и жироскоп.