СиЦ фокусни прстен

Семицорек СиЦ Фоцус Ринг је прецизно пројектована компонента у облику прстена, произведена од силицијум карбида високе чистоће. СиЦ фокусни прстен је дизајниран за напредне апликације за обраду полупроводника. Силицијум карбид високе чистоће пружа одличне перформансе у смислу термичке стабилности (високе тачке топљења), механичке издржљивости (високе тврдоће) и својстава електричне проводљивости, што је кључно за усклађивање са спецификацијама многих технологија за производњу плочица следеће генерације. СиЦ Фоцус Ринг су компоненте које се налазе у компонентама коморе за плазма нагризање и таложење и играју суштинску улогу у контроли дистрибуције плазме, постизању униформности плочице и приноса у масовној производњи.

Чистоћа материјала и електричне перформансе СиЦ фокусног прстена су неки од најкритичнијих фактора који дефинишу ову компоненту и разликују је од керамичких материјала. Висока чистоћасилицијум карбидаје за разлику од традиционалних керамичких материјала, јер обезбеђује комбинацију 

тврдоћу као и отпорност на многе хемикалије и јединствена електрична својства. Значајно, што је још важније, силицијум карбид високе чистоће се може конструисати коришћењем додатака и метода обраде како би се произвели најприкладнији нивои проводљивих или увредљивих перформанси са идеалном полупроводном равнотежом за интеракцију са плазмом, омогућавајући стабилне перформансе у високоенергетским окружењима где је већа вероватноћа да ће нагомилавање наелектрисања и електрична неравнотежа изазвати грешке у процесу.

Због ивичног ефекта плазме, густина је већа у центру и мања на ивицама. Фокусни прстен, кроз свој прстенасти облик и својства материјала ЦВД СиЦ, генерише специфично електрично поље. Ово поље води и ограничава наелектрисане честице (јоне и електроне) у плазми на површину плочице, посебно на ивици. Ово ефективно подиже густину плазме на ивици, приближавајући је густини у центру. Ово значајно побољшава уједначеност нагризања на плочици, смањује оштећење ивица и повећава принос.

Мерцури Мануфацтуринг обрађује СиЦ Фоцус Ринг користећи софистициране процесе машинске обраде и полирања који постижу уске толеранције димензија и глатку завршну обраду. Прецизност димензија ових компоненти омогућава компатибилност са различитим добављачима полупроводничке опреме како би се осигурала заменљивост многих система за нагризање плазме и таложење. Прилагођени дизајни се такође могу развити како би задовољили специфичне захтеве процеса укључујући дебљину прстена, унутрашњи и спољашњи пречник и нивое површинске проводљивости.

Примене СиЦ Фоцус Ринг покривају широк спектар у производњи полупроводника: ДРАМ, НАНД флеш, логичке уређаје и нове енергетске полупроводничке технологије. Како се геометрије уређаја смањују и настављају да напредују кроз процесне чворове, потреба за високо поузданим стабилним компонентама коморе као што је СиЦ Фоцус Ринг постаје критична. СиЦ Фоцус Ринг омогућава прецизну контролу плазме и доследно побољшава квалитет плочице, подстичући амбиције индустрије ка све мањим, бржим и ефикаснијим електронским уређајима. Семицорек СиЦ Фоцус Ринг дефинише тачку пресека науке о материјалима, прецизног инжењерства и еволуције процеса полупроводника. СиЦ фокусни прстен има одличну термичку стабилност, супериорну хемијску отпорност и скоро специфичну електричну проводљивост. Ове карактеристике га чине критичном компонентом у обезбеђивању поузданости и приноса током процеса.