Графитне лончиће обложене СиЦ-ом

Инсталиран у центру високотемпературних пећи за раст кристала,СиЦ-цоатедграфитне лончиће раде заједно са грејачима, термоизолационим навлакама, цевима за вођење протока и осовинама лонаца да формирају комплетан систем топлотног поља. Овај систем топлотног поља може да одржи стабилно окружење високе температуре неопходно за раст кристала.

Производња СиЦ-превученогграфитне лончићепремаз на површини формиране графитне подлоге. Састоји се од високе чистоћесилицијум карбидапремаз на површини формиране графитне подлоге. Састоји се од високе чистоћеграфитподлоге и густог премаза од силицијум карбида, графитни лончић обложен СиЦ-ом формира синергистичку структуру која комбинује топлотну проводљивост графита са отпорношћу на корозију силицијум карбида.

Метод Чохралског је универзална индустријска техника за раст кристала. Ова техника ће вршити центрифугалну силу на лончић током производње кристала. Врхунска чврстоћа на савијање и жилавост графитних лончића обложених СиЦ-ом могу спречити ломљење или пуцање током ротације великом брзином, ефикасно смањујући прекиде производње узроковане оштећењем лончића. Поред тога, лончићи морају да прођу кроз драстичне температурне флуктуације у кратком временском периоду током овог процеса. Захваљујући њиховој изузетној отпорности на топлотни удар, графитне лончиће обложене СиЦ-ом могу да смање структурна оштећења повезана са топлотним напрезањем, обезбеде стабилност свог облика, чиме се смањују дефекти раста кристала узроковани деформацијом лончића.

Под високим температурама, графитни лончићи обложени СиЦ-ом ће формирати густи заштитни слој од силицијум карбида. Овај заштитни слој може да изолује графитну подлогу од силицијумске паре и растопљеног силицијума, чиме се минимизира корозија графитне подлоге и ризик од контаминације кристала повезан са љуштењем премаза. Стога, Семицорек-ови графитни лончићи обложени СиЦ-ом могу издржати различита сложена окружења високе температуре корозије током дужег периода у стварном раду. Ово осигурава конзистентан састав кристала и смањује стопе дефекта, а оба су неопходна за производњу висококвалитетних полупроводничких кристала.