Порозна тантал карбид керамика

Семицорек порозна керамика од тантал карбида је керамички материјал на ултра-високим температурама са тачком топљења око 3880℃, који може одржати стабилне перформансе у изазовним радним окружењима високе температуре и високе корозије захваљујући следећим одличним карактеристикама перформанси.

1. Одлична термална својства

Максимална радна температура Семицорек порозногтантал карбид керамикаможе бити до 3200 ℃, и може стабилно радити у условима раста кристала силицијум карбида на високим температурама дуго времена без икаквих деформација или омекшавања.

2. Изузетна хемијска стабилност

Семицорек порозна керамика од тантал карбида показује бољу отпорност на корозију и отпорност на оксидацију од конвенционалне керамике. Може ефикасно да издржи корозију кисеоника на високим температурама и паре Си у процесу раста кристала.

3. Посебна порозна структура

Семицорек порозна керамика од тантал карбида има уједначено распоређене унутрашње поре, са порозношћу између 10-60% (прилагодљиво) и брзином кроз поре од преко 98%. Ова специјална структура омогућава елементима у парној фази као што су Си и Ц да глатко тече и дифундују унутар пећи за раст кристала, што у великој мери олакшава раст висококвалитетних кристала.

Примена у расту кристала силицијум карбида

Током раста кристала силицијум карбида путем ПВТ процеса, Семицорек порозна керамика тантал карбида функционише првенствено у филтрацији елемента у парној фази, регулацији температурног градијента пећи и вођењу протока гасног материјала. За разлику од конвенционалних порозних графитних материјала обложених ТаЦ, Семицорек порозна керамика од тантал карбида показује јасне предности: елиминише порознеГрафит обложен ТаЦНедостатак материјала је ниска брзина кроз поре узрокована обрадом премаза, док се избегава болна тачка порозних графитних материјала обложених ТаЦ-ом од љуштења премаза на које се наилази у употреби. Коришћењем Семицорек порозне керамике од тантал карбида, можете ефикасно инхибирати дефекте инклузије угљеника у расту кристала силицијум карбида, чиме се значајно побољшава квалитет раста кристала и принос производа.