Силицијум карбид (СиЦ) је материјал који поседује високу енергију везе, слично другим тврдим материјалима као што су дијамант и кубни бор нитрид. Међутим, висока енергија везе СиЦ отежава директну кристализацију у инготе традиционалним методама топљења. Стога, процес узгоја кристала силицијум карбид......
ОпширнијеПолупроводнички материјали се могу поделити у три генерације према временском низу. Прва генерација германијума, силицијума и других уобичајених мономатеријала, коју карактерише погодно пребацивање, углавном се користи у интегрисаним колима. Друга генерација галијум арсенида, индијум фосфида и други......
ОпширнијеДок свет тражи нове могућности у полупроводницима, галијум нитрид наставља да се истиче као потенцијални кандидат за будуће апликације за напајање и РФ. Међутим, уз све предности које нуди, и даље се суочава са великим изазовом; нема производа П-типа (П-типа). Зашто се ГаН рекламира као следећи вели......
ОпширнијеГалијум оксид (Га2О3) као "полупроводнички материјал са ултрашироким појасом" привукао је сталну пажњу. Полупроводници са ултра широким појасом спадају у категорију „полупроводника четврте генерације“, а у поређењу са полупроводницима треће генерације као што су силицијум карбид (СиЦ) и галијум нитр......
Опширније