Порозни графит за раст кристала СиЦ

Тренутно, већина произвођача СиЦ супстрата користи нови дизајн термичког поља у лончићу са порозним графитним цилиндрима: постављају сировине честица СиЦ високе чистоће између зида графитног лончића и порозног графитног цилиндра, док се цео лончић продубљује и повећава пречник лончића. Предност је у томе што се док се запремина пуњења повећава, повећава се и површина испаравања сировина. Нови процес решава проблем кристалних дефеката, који настају рекристализацијом горњег дела сировине како раст напредује на површини изворног материјала, утичући на сублимациони ток материјала. Нови процес такође смањује осетљивост расподеле температуре у области сировог материјала на раст кристала, побољшава и стабилизује ефикасност преноса масе, смањује утицај инклузија угљеника у каснијим фазама раста и даље побољшава квалитет кристала СиЦ. Нови процес такође користи метод фиксирања носача кристала без семена који се не лепи за семенски кристал, омогућавајући слободно топлотно ширење и доприноси ослобађању од стреса. Овај нови процес оптимизује топлотно поље и значајно побољшава ефикасност експанзије пречника.

Квалитет и принос монокристала СиЦ добијених овим новим процесом у великој мери зависе од физичких особина графита у лончићу и порозног графита. Хитна потражња за порозним графитом високих перформанси не само да чини порозни графит изузетно скупим, већ и изазива озбиљну несташицу на тржишту.

Основни захтеви перформанси одпорозни графит

(1) Одговарајућа дистрибуција величине пора;

(2) довољно висока порозност;

(3) Механичка чврстоћа која испуњава захтеве обраде и употребе.

Семицорек нуди висок квалитетпорозни графитделови. Ако имате било каквих питања или су вам потребни додатни детаљи, не устручавајте се да нас контактирате.

Контакт телефон # +86-13567891907

Емаил: салес@семицорек.цом