Која је предност силицијум карбида?

Силицијум карбид (СиЦ) је сложени полупроводник који последњих година добија на популарности због својих бројних предности у односу на традиционалне полупроводничке материјале као што је силицијум. СиЦ има више од 200 типова кристала, а његов главни 4Х-СиЦ, на пример, има забрањени пропусни опсег од 3,2 еВ. Његова покретљивост електрона засићења, јачина електричног поља и топлотна проводљивост су бољи од оних код конвенционалних полупроводника на бази силицијума, са супериорним својствима као што су отпорност на висок напон, отпорност на високе температуре и мали губици.

Једна од примарних предности силицијум карбида је његова висока топлотна проводљивост, која му омогућава да ефикасније одводи топлоту од традиционалних полупроводничких материјала. То га чини идеалним материјалом за употребу у апликацијама на високим температурама као што је енергетска електроника, где прекомерна топлота може да изазове проблеме са перформансама или чак квар.

Још једна предност силицијум карбида је његов високи напон пробоја, који му омогућава да поднесе веће напоне и густину снаге од традиционалних полупроводничких материјала. Ово га чини посебно корисним у апликацијама енергетске електронике као што су претварачи, који претварају једносмерну струју у наизменичну струју, и у апликацијама за контролу мотора.

Силицијум карбид такође има већу покретљивост електрона од традиционалних полупроводника, што значи да се електрони могу брже кретати кроз материјал. Ово својство га чини погодним за апликације високе фреквенције као што су РФ појачала и микроталасни уређаји.

Коначно, силицијум карбид има шири појас од традиционалних полупроводника, што значи да може да ради на вишим температурама без топлотног квара. То га чини идеалним за употребу у апликацијама на високим температурама као што су ваздухопловство и аутомобилска електроника.

У закључку, силицијум карбид је сложени полупроводник са многим предностима у односу на традиционалне полупроводничке материјале. Његова висока топлотна проводљивост, висок напон пробоја, велика покретљивост електрона и шири појас чине га погодним за широк спектар електронских апликација, посебно у апликацијама на високим температурама, велике снаге и високе фреквенције. Како технологија наставља да напредује, вероватно је да ће употреба силицијум карбида само наставити да расте на важности у индустрији полупроводника.