Процес епитаксијалне плочице је критична техника која се користи у производњи полупроводника. То укључује раст танког слоја кристалног материјала на врху супстрата, који има исту кристалну структуру и оријентацију као супстрат. Овај процес ствара висококвалитетан интерфејс између два материјала, омогућавајући развој напредних електронских уређаја.

Процес епитаксијалне плочице се користи у производњи различитих полупроводничких уређаја, укључујући диоде, транзисторе и интегрисана кола. Процес се обично изводи помоћу техника хемијског таложења паре (ЦВД) или епитаксије молекуларним снопом (МБЕ). Ове технике укључују таложење атома материјала на површину супстрата, где они формирају кристални слој.

Процес епитаксијалне плочице је сложена и прецизна техника која захтева строгу контролу над различитим параметрима као што су температура, притисак и брзина протока гаса. Раст епитаксијалног слоја мора се пажљиво контролисати како би се обезбедило формирање висококвалитетне кристалне структуре са малом густином дефеката.

Квалитет процеса епитаксијалне плочице је критичан за перформансе добијеног полупроводничког уређаја. Епитаксијални слој мора имати уједначену дебљину, ниску густину дефеката и висок ниво чистоће да би се обезбедиле оптималне електронске особине. Дебљина и ниво допинга епитаксијалног слоја могу се прецизно контролисати да би се постигла жељена својства, као што су проводљивост и појас.

Последњих година, процес епитаксијалне плочице постаје све важнији у производњи полупроводничких уређаја високих перформанси, посебно у области енергетске електронике. Потреба за уређајима високих перформанси са побољшаном ефикасношћу и поузданошћу подстакла је развој напредних процеса епитаксијалне плочице.

Процес епитаксијалне плочице се такође користи у развоју напредних сензора, укључујући сензоре температуре, гасне сензоре и сензоре притиска. Ови сензори захтевају висококвалитетне кристалне слојеве са специфичним електронским својствима, што се може постићи поступком епитаксијалне плочице.