Шта је СиЦ епитаксија?

Силицијум карбид (СиЦ) епитаксија је кључна технологија у области полупроводника, посебно за развој електронских уређаја велике снаге. СиЦ је сложени полупроводник са широким појасом, што га чини идеалним за апликације које захтевају рад на високим температурама и на високом напону.

СиЦ епитаксија је процес узгоја танког слоја кристалног материјала на супстрату, обично силицијум, коришћењем техника хемијског таложења паре (ЦВД) или епитаксије молекуларним снопом (МБЕ). Епитаксијални слој има исту кристалну структуру и оријентацију као и супстрат, што омогућава формирање висококвалитетног интерфејса између два материјала.

СиЦ епитаксија се широко користи у развоју енергетске електронике, укључујући енергетске уређаје као што су диоде, транзистори и тиристори. Ови уређаји се користе у широком спектру апликација, као што су електрична возила, системи обновљивих извора енергије и напајања.

Последњих година расте интересовање за развој СиЦ епитаксије за производњу уређаја велике снаге за апликације као што су електрична возила и системи обновљиве енергије. Очекује се да ће потражња за овим уређајима брзо расти у наредним годинама, вођена потребом за ефикаснијим и одрживијим енергетским системима.

Као одговор на ову потражњу, истраживачи и компаније улажу у развој технологије епитаксије СиЦ, са фокусом на побољшање квалитета и смањење трошкова процеса. На пример, неке компаније развијају СиЦ епитаксију на већим подлогама како би смањиле цену по плочици, док друге истражују нове технике за смањење густине дефеката.

СиЦ епитаксија се такође користи у развоју напредних сензора за низ апликација, укључујући сензор гаса, сензор температуре и сензор притиска. СиЦ има јединствена својства која га чине идеалним за ове примене, као што су стабилност на високим температурама и отпорност на оштра окружења.