ЦВД ТаЦ Цоатед Сусцептор

У МОЦВД систему, сусцептор је основна платформа на коју се плочице постављају током епитаксијалног раста. Од кључне је важности да се прецизна контрола температуре, хемијска стабилност и механичка стабилност у реактивним гасовима одржавају на температурама изнад 1200 °Ц. Сусцептор обложен Семицорек ЦВД ТаЦ је способан да то постигне комбиновањем пројектоване графитне подлоге са густим, уједначенимпремаз од тантал карбида (ТаЦ)направљено хемијским таложењем паре (ЦВД).

Квалитет ТаЦ укључује његову изузетну тврдоћу, отпорност на корозију и термичку стабилност. ТаЦ има тачку топљења већу од 3800 °Ц, и као такав је један од најотпорнијих материјала данас, што га чини погодним за употребу у МОЦВД реакторима, в

прекурсора који могу бити много топлији и веома корозивни. ТхеКоришћењеобезбеђује заштитну баријеру између графитног пријемника и реактивних гасова, на пример, амонијака (НХ₃) и високо реактивних, метал-органских прекурсора. Премаз спречава хемијску деградацију графитне подлоге, формирање честица у окружењу таложења и дифузију нечистоћа у депоноване филмове. Ове радње су критичне за висококвалитетне, епитаксијалне филмове, јер могу утицати на квалитет филма.

Подложни носачи су критичне компоненте за припрему плочице и епитаксијални раст полупроводника класе ИИИ, као што су СиЦ, АлН и ГаН. Већина носача плочица је направљена од графита и обложена СиЦ ради заштите од корозије процесних гасова. Епитаксијалне температуре раста се крећу од 1100 до 1600°Ц, а отпорност на корозију заштитног премаза је кључна за дуговечност носача плочице. Истраживања су показала да ТаЦ кородира шест пута спорије од СиЦ у високотемпературном амонијаку и преко десет пута спорије у високотемпературном водонику.

Метода наношења ЦВД слоја ТаЦ резултира изузетно густим и приањајућим премазом. ЦВД ТаЦ је молекуларно везан за подлогу, за разлику од прсканих  или синтерованих премаза, од којих би премаз био подложан раслојавању. Ово се преводи у бољу адхезију, глатку површину и висок интегритет. Премаз ће издржати ерозију, пуцање и љуштење чак и када се више пута термички обрађује у агресивном процесном окружењу. Ово олакшава дужи радни век пријемника и смањује трошкове одржавања и замене.

Коришћењепревлаке од тантал карбида (ТаЦ).може да се бави дефектима ивица кристала и побољша квалитет раста кристала, чинећи га основном технологијом за постизање „бржег, дебљег и дужег раста“. Индустријска истраживања су такође показала да графитне лончиће обложене тантал карбидом могу постићи уједначеније загревање, чиме се обезбеђује одлична контрола процеса за раст монокристала СиЦ, чиме се значајно смањује вероватноћа поликристалног формирања на ивици СиЦ кристала.

Метода наношења ЦВД слоја ТаЦ резултира изузетно густим и приањајућим премазом. ЦВД ТаЦ је молекуларно везан за подлогу, за разлику од прсканих  или синтерованих премаза, од којих би премаз био подложан раслојавању. Ово се преводи у бољу адхезију, глатку површину и висок интегритет. Премаз ће издржати ерозију, пуцање и љуштење чак и када се више пута термички обрађује у агресивном процесном окружењу. Ово олакшава дужи радни век пријемника и смањује трошкове одржавања и замене.

ЦВД ТаЦ Цоатед Сусцептор може се прилагодити тако да одговара низу МОЦВД конфигурација реактора, које укључују хоризонталне, вертикалне и планетарне системе.  Прилагођавање укључује дебљину премаза, материјал подлоге и геометрију, омогућавајући оптимизацију у зависности од услова процеса.  Било за ГаН, АлГаН, ИнГаН или за друге сложене полупроводничке материјале, сусцептор обезбеђује стабилне и поновљиве перформансе, а оба су неопходна за обраду уређаја високих перформанси.

ТаЦ премаз нуди већу издржљивост и чистоћу, али такође јача механичка својства сусцептора са отпорношћу на топлотну деформацију услед поновљених термичких напрезања. Механичка својства обезбеђују трајну подршку плочице и ротирајућу равнотежу током дугих серија таложења.  Штавише, побољшање омогућава доследну поновљивост и време рада опреме.