Алн Појединачни кристал

Семицорек алн Појединачни кристал револуционарно напредовање у полуводичкој технологији, нудећи јединствену комбинацију изузетних електричних, топлотних и механичких својстава. Као ултра-широк опсег полуводича са опсегом од 6.2 ЕВ, АЛН се све више препознаје као оптимална супстрат за високу струју, високофреквентну и дубоку ултраљубичасту (УВ) оптоелектронски уређаји. Ове својства Позиционирајте Алн као врхунску алтернативу традиционалним подлогама попут Саппхиреа, Силицијум карбида (СИЦ) и Галлиум Нитрид (ГАН), посебно у захтевима захтевају екстремну термичку стабилност, висок напон, висок напон и врхунска топлотна проводљивост.

Тренутно је алн појединачна кристална плоча комерцијално доступна у величини до 2 инча пречника. Како се настављају напори истраживања и развоја, очекује се да напредна технологијама раста кристала омогућавају веће величине вафла, унапређивање скалабилности производње и смањење трошкова за индустријске примене.

Слично као што је појединачни раст кристала СИЦ, Алн Појединачни кристали не могу се узгајати поступком топљења, али може се узгајати само физичким испремом паре (ПВТ).

Постоје три важна стратегија раста за АЛН јединствени кристални ПВТ раст:

1) Спонтани раст нуклеације

2) хетероепитаксијални раст на подлози 4Х- / 6Х-сиц

3) хомоепитакски раст

Алн Појединачни кристални рез се одликује њиховим ултра-широким опсегом од 6.2 ЕВ, што гарантује изузетну електричну изолацију и неуспоредиве дубоке УВ перформансе. Ови вафли имају електрично поље високог квара који прелази то од СИЦ-а и ГАН-а, позиционирајући их као оптималан избор за електронске уређаје са високим снагама. Уз импресивну топлотну проводљивост од око 320 В / МК, они обезбеђују ефикасну расипање топлоте, критични захтев за високо напајање. Алн није само хемијски и термички стабилан, већ и одржава врхунске перформансе у екстремним окружењима. Његова врхунска отпорност зрачења чини га без премца за свемир и нуклеарне апликације. Поред тога, његова изузетна пиезоелектрична својства, велика брзина пиле и снажна електромеханичка спојница успостављају је као изванредан кандидат за уређаје за гХз на нивоу ГХЗ-а, филтри и сензори.

Алн Појединачно кристално вафли налази се широке апликације у различитим електронским и оптоелектронским уређајима високих перформанси. Они служе као идеална супстрат за дубоки ултраљубичаст (ДУВ) оптоелектронику, укључујући дубоке УВ ЛЕД-ове који раде у распону од 200-280 НМ за стерилизацију, пречишћавање воде и биомедицинске примене, као и УВ ласерски диоде (ЛДС) који се користе у напредним индустријским и медицинским пољима. Алн се такође широко користи у електронским и високофреквентним електронским уређајима, посебно у радиофреквенцијској (РФ) и микроталасним компонентама, где је његов високи напон квадрата и ниско-електронски расипање осигуравају врхунске перформансе у појачаловима и комуникационим системима. Поред тога, игра пресудну улогу у електроничкој електроници, унапређивањем ефикасности претварача и претварача у електричним возилима, обновљивим енергетским системима и ваздухопловне апликације. Поред тога, Алн-ова одлична пиезоелектрична својства и висока брзина пила чине је оптималним материјалом за површински акустички талас (пила) и расутих акустичних таласних (БАВ) уређаја, који су неопходни за телекомуникације, обраду сигнала и сензорске технологије. Због изузетне топлотне проводљивости, Алн је такође кључни материјал у решењима топлотне управљања за ЛЕД-ове снаге, ласерски диоде и електронске модуле, који пружају ефикасну дисипацију топлоте и побољшање дугог коришћења уређаја.

Семицорек алн Појединачни кристални резини представља будућност полуводичких подлога, која нуде неуспоредиве електричне, топлотне и пиезоелектричне својства. Њихове пријаве у дубоком УВ оптоелектронику, електроничкој електроници и акустичним таласним уређајима чине их веома траженим материјалом за технологију следеће генерације. Како се могућности израде и даље побољшавају, алн вафери постаће неопходна компонента полуводичких уређаја високог перформанси, а подражају пут иновативним унапређењем у више индустрија.